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氧化鎵襯底
氧化鎵襯底
VB襯底
利用垂直布里奇曼法(VB)生長的4英寸單晶晶圓(100)
關鍵指標
1.雙晶搖擺半高寬:≤350"
2.晶面偏差:<±1°
3.粗糙度:Ra≤1nm