納米實驗用工作系統
??此組圖是我公司于2002年為清華大學從臺灣富士康進口的納米實驗用工作系統。該系統可在硅基底上制備氧化物、氮化物厚膜,在雙頻輔助下,可以大大提高沉積速率,達到每分鐘25納米。因此可用來制備微米及毫米厚度的絕緣層,其致密性,均勻性及附著性依然很好。此系統中還包含了一臺復合機型,由離子偶合等離子體刻蝕及雙頻反應離子刻蝕機組成,目前國內尚無同類產品。這兩種刻蝕方式的特點都是刻蝕速度快,可以達到每分鐘刻蝕450納米的速度。其中Helicon主要適合于刻蝕進行硅的深刻蝕,而DFR則適用于氧化硅和氮化硅的深刻蝕。利用Helicon-雙頻刻蝕系統,可以幫助制備一些三維的納米結構,從而構筑更加豐富的納米器件。這套系統可在硅基底上制備多種金屬薄膜,薄膜厚度可以為幾個納米,利用此套系統在硅基底上沉積金屬催化劑薄層,可被用來制備納米材料。特別是蒸發鍍膜系統制備的薄膜和蒸發源的方向相關,臺階陡直,后續的光刻過程可以直接采用駁離方法,無須刻蝕工藝。其中刻蝕機刻蝕速率慢,可以對刻蝕層的厚度進行精確控制,有利于對很薄(幾納米或幾十納米厚)的金屬、光刻膠、氧化硅、氮化硅薄膜進行刻蝕,制備納米器件所需的各種圖形,開展納米電子學的基礎研究。
