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氧化鎵晶錠
2英寸氧化鎵晶錠
利用導模法（EFG）生長的12mm厚半絕緣型及導電型Ga2O3單晶晶錠（100/001）
關鍵指標
1.晶錠尺寸：50mm×80mm×12mm
2.晶面偏差:<±1°
利用導模法（EFG）生長的12mm厚半絕緣型及導電型Ga2O3單晶晶錠（100/001）
關鍵指標
1.晶錠尺寸：50mm×80mm×12mm
2.晶面偏差:<±1°