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利用導(dǎo)模法(EFG)生長的半絕緣型及導(dǎo)電型Ga₂O₃晶體，加工得到4英寸氧化鎵襯底。

關(guān)鍵指標(biāo)

1.雙晶搖擺半高寬:≤350"

2.載流子濃度:1x10¹⁶~10¹⁹cm^-3

3.位錯密度:< 1x10⁴cm^-2

4.晶面偏差:<±1°

5.粗糙度:Ra≤0.5nm