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氧化鎵晶錠

4英寸氧化鎵晶錠

利用導模法(EFG)生長的12mm厚半絕緣型及導電型Ga2O3單晶晶錠

關鍵指標

1.晶錠尺寸:110mm×105mm×12mm

2.晶面偏差:<±1°